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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB065N03L G 

产品描述

MOSFET N-CH 60V 80A

内部编号

173-IPB065N03L-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:4441
1+¥5.812
10+¥4.9915
100+¥3.8291
500+¥3.3847
1000+¥2.6735
2000+¥2.3727
10000+¥2.277
25000+¥2.1334
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:12180
1+¥6.5405
10+¥5.8102
100+¥4.5936
500+¥3.5624
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPB065N03L G产品详细规格

规格书 IPB065N03L G datasheet 规格书
IP(B,P)065N03L G
IPB065N03L G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 50A
Rds(最大)@ ID,VGS 6.5 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 23nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2400pF @ 15V
功率 - 最大 56W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-2
包装材料 Tape & Reel (TR)

IPB065N03L G系列产品

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